Схема простейшего стабилизатора, в котором для стабилизации используется кремниевый стабилитрон (КС), показана на рис. 1.1. Коэффициент стабилизации (Кст) такого стабилизатора можно определить по формуле:

Кст.=Uвых.·(1-0.01·?Uвх.)/(Iнагр.+Iст.)·rст.,

где Uвых. - выходное напряжение стабилизатора, ?Uвх – абсолютное изменение входного напряженпия, Iнагр.  максимальный ток нагрузки, Iст. - минимальный ток стабилизации, а rст. – дифференциальное сопротивление стабилитрона. Сопротивление токоограничивающего резистора R1, здесь выбирают с таким расчетом, чтобы обеспечить достаточный коэффициент стабилизации, и в то же время не превысить предельно допустимый ток стабилитрона, при максимальном входном напряжении. Тип и количество КС подбирают в зависимости от необходимого выходного напряжения стабилизатора и тока нагрузки.

Важным параметром, определяющим температурную устойчивость стабилизатора, является температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилитрона. Из графика приведенного на рис. 1.2 видно, что ТКН КС зависит от напряжения его стабилизации. Так стабилитроны с напряжением стабилизации около 6 В, обладают ТКН близким к нулю, поэтому они наиболее термостабильны. Стабилитроны с большим напряжением стабилизации имеют положительный ТКН, (с увеличением температуры напряжение на них увеличивается), соответственно стабилитроны с напряжением стабилизации менее 6 В, характеризуются отрицательным ТКН.

Стабилизировать низкое (0.5-3 В) напряжение, можно используя схему, изображенную на рис. 1.3. Для стабилизации здесь используются полупроводниковые диоды в прямом включении. Количество последовательно включенных диодов выбирают в соответствии с требуемым выходным напряжением стабилизатора, из расчета, что падение на переходе германиевого прибора составляет около 0.5 В, а кремниевого – 0.7 В. Зависимость выходного напряжения от температуры в этом варианте характеризуется практически линейным отрицательным ТКН (с повышением температуры уменьшение напряжения на каждом диоде составит примерно 0.3 % на каждый °С).

В схеме представленной на рис. 1.4, необходимую термокомпенсацию стабилитрона VD (с положительным ТКН), обеспечивают полупроводниковые диоды. Выходное напряжение для такого стабилизатора определяется суммой напряжения стабилизации КС и падения напряжения на диодах, а степень термокомпенсации количеством последовательно включенных диодов.

Получить практически любое стабилизированное напряжение, величиной менее 1.5 В, можно с помощью стабилизатора, схема которого показана на рис. 1.5. Выходное напряжение здесь определяется разностью напряжений стабилизации стабилитронов VD1, VD2. Высокая температурная стабильность, в данном случае, достигается при использовании однотипных стабилитронов с возможно близкими ТКН.